华电集团2017招聘公告:内存知识篇

来源:百度文库 编辑:第一文库网 时间:2020/01/25 19:28:43

第一章:知识篇

第一章/第一节 内存的存取原理及难以逾越的频障

    在半导体科技极为发达的台湾省,内存和显存被统称为记忆体(Memory),全名是动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory,DRAM)。基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1,这就是一个二进制位元(bit),内存的最小单位。


DRAM的存储单元结构图

    DRAM的结构可谓是简单高效,每一个bit只需要一个晶体管加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象,如果电荷不足会导致数据出错,因此电容必须被周期性的刷新(预充电),这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程,刷新频率不可能无限提升(频障),这就导致DRAM的频率很容易达到上限,即便有先进工艺的支持也收效甚微。

    “上古”时代的FP/EDO内存,由于半导体工艺的限制,频率只有25MHz/50MHz,自SDR以后频率从66MHz一路飙升至133MHz,终于遇到了难以逾越的障碍。此后所诞生的DDR1/2/3系列,它们存储单元官方频率(JEDEC制定)始终在100MHz-200MHz之间徘徊,非官方(超频)频率也顶多在250MHz左右,很难突破300MHz。事实上高频内存的出错率很高、稳定性也得不到保证,除了超频跑简单测试外并无实际应用价值。

    既然存储单元的频率(简称内核频率,也就是电容的刷新频率)不能无限提升,那么就只有在I/O(输入输出)方面做文章,通过改进I/O单元,这就诞生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的内存种类,下面我们就来详细介绍DDR1/2/3之间的关系及特色。